變頻介質(zhì)損耗測試儀特點(diǎn)
變頻介質(zhì)損耗測試儀特點(diǎn) 1、環(huán)境溫度：0 ～ 40℃（液晶屏應(yīng)避免長時(shí)日照） 2、相對濕度：30% ～ 70% 3、供電電源：電壓：220V±10%、頻率：50±1Hz 4、外形尺寸：長×寬×高 500mm×300mm×400mm

變頻介質(zhì)損耗測試儀特點(diǎn)

介質(zhì)損耗測試儀是一種的測量介質(zhì)損耗（tgδ）和電容容量（Cx）的儀器，用于工頻高壓下，測量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗，（tgδ）和電容容量（Cx）它淘汰了 QS 高壓電橋，具有操作簡單、中文顯示、打印、使用方便、無需換算、自帶高壓、抗干擾能力強(qiáng)、測試時(shí)間（在國內(nèi)同類產(chǎn)品中速度快）等特點(diǎn)。體積小、重量輕是我公司的第二代抗干擾介質(zhì)損耗測試儀。 
介質(zhì)損耗測試儀主要技術(shù)指標(biāo)
      1、環(huán)境溫度：0 ～ 40℃（液晶屏應(yīng)避免長時(shí)日照）         
      2、相對濕度：30% ～ 70% 
      3、供電電源：電壓：220V±10%、頻率：50±1Hz 
      4、外形尺寸：長×寬×高   500mm×300mm×400mm 
      5、重量：    約18Kg           
      6、輸出功率：0.6KVA 
      7、顯示分辯率：3位、4位（內(nèi)部全是6位） 
      8、測量范圍及輸出電壓選擇： 
                 介質(zhì)損耗（tgδ）：±0.00～±999% 
                 試品電容容量（Cx）和加載電壓： 
                 2.5KV檔:≤300nF（300000pF）            3KV檔:≤200nF（200000pF） 
                 5KV檔:≤76nF（76000pF）                7.5KV檔:≤34nF（34000pF） 
                 10KV檔:≤20nF（20000pF） 
      9、基本測量誤差： 
                 介質(zhì)損耗（tgδ）：1%±7個(gè)字（加載電流20uA～500mA） 
                 介質(zhì)損耗（tgδ）：2%±9個(gè)字（加載電流5uA～20uA） 
                 電容容量（Cx）：1.5%±1.5pF
 變頻介質(zhì)損耗測試儀特點(diǎn)

介質(zhì)損耗測試儀是一種的測量介質(zhì)損耗（tgδ）和電容容量（Cx）的儀器，用于工頻高壓下，測量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗，（tgδ）和電容容量（Cx）它淘汰了 QS 高壓電橋，具有操作簡單、中文顯示、打印、使用方便、無需換算、自帶高壓、抗干擾能力強(qiáng)、測試時(shí)間（在國內(nèi)同類產(chǎn)品中速度快）等特點(diǎn)。體積小、重量輕是我公司的第二代抗干擾介質(zhì)損耗測試儀。 
介質(zhì)損耗測試儀主要技術(shù)指標(biāo)
      1、環(huán)境溫度：0 ～ 40℃（液晶屏應(yīng)避免長時(shí)日照）         
      2、相對濕度：30% ～ 70% 
      3、供電電源：電壓：220V±10%、頻率：50±1Hz 
      4、外形尺寸：長×寬×高   500mm×300mm×400mm 
      5、重量：    約18Kg           
      6、輸出功率：0.6KVA 
      7、顯示分辯率：3位、4位（內(nèi)部全是6位） 
      8、測量范圍及輸出電壓選擇： 
                 介質(zhì)損耗（tgδ）：±0.00～±999% 
                 試品電容容量（Cx）和加載電壓： 
                 2.5KV檔:≤300nF（300000pF）            3KV檔:≤200nF（200000pF） 
                 5KV檔:≤76nF（76000pF）                7.5KV檔:≤34nF（34000pF） 
                 10KV檔:≤20nF（20000pF） 
      9、基本測量誤差： 
                 介質(zhì)損耗（tgδ）：1%±7個(gè)字（加載電流20uA～500mA） 
                 介質(zhì)損耗（tgδ）：2%±9個(gè)字（加載電流5uA～20uA） 
                 電容容量（Cx）：1.5%±1.5pF